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IRLL110TRPBF
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IRLL110TRPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-223
描述:VISHAY  IRLL110TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 27W, SOT-223
PDF文件:IRLL110TRPBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
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IRLL110TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRLL110TRPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SOT-223
额定功率3.1 W
针脚数4 Position
漏源极电阻0.54 Ω
极性N-Channel
功耗27 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)1.50 A
上升时间47 ns
输入电容值(Ciss)250pF @25V(Vds)
下降时间18 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.1 W
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IRLL110TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.7 mm
宽度3.7 mm
高度1.8 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRLL110TRPBF 数据手册

IRLL110TRPBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.34 MByte
IRLL110TRPBF 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
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IRLL110TRPBF 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.58 MByte

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