类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 55.0 V |
额定电流 | 3.80 A |
封装 | TO-261-4 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1W (Ta) |
零部件系列 | IRLL2705 |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.80 A |
上升时间 | 12 ns |
输入电容值(Ciss) | 870pF @25V(Vds) |
下降时间 | 22 ns |
耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | End of Life |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 55 V 3.8A(Ta) SOT-223
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLL2705TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 55 V, 0.04 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLL2705PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 2 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRLL2705TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1W, SOT-223
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRLL2705PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 3.8A SOT-223 新
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