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IRLM110ATF
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IRLM110ATF 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:SOT-223-4
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  IRLM110ATF  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-223, SMD, 1.5A, 100V
PDF文件:IRLM110ATF 数据手册 (7 页)
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IRLM110ATF 数据手册 (7 页)
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IRLM110ATF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)100 V
额定电流1.50 A
封装SOT-223-4
针脚数4 Position
漏源极电阻440 mΩ
极性N-Channel
功耗2.2 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)1.50 A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)235pF @25V(Vds)
额定功率(Max)2.2 W
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.2W (Tc)
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IRLM110ATF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度3.5 mm
高度1.8 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRLM110ATF 数据手册

IRLM110ATF 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.22 MByte
IRLM110ATF 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.33 MByte
IRLM110ATF 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.06 MByte

IRLM110 数据手册

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  IRLM110ATF  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-223, SMD, 1.5A, 100V
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