最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.25Ω/Ohm @930mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.70V 耗散功率Pd Power Dissipation| 540mW/0.54W Description & Applications| HEXFET® Power MOSFET • Fast switching 描述与应用| HEXFET®功率MOSFET 快速切换
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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20V,1.2A,单N沟道HEXFET功率MOSFET
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML2402PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 250 mohm, 4.5 V, 700 mV
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