| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 45 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 阈值电压 | 1.2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.20 A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
International Rectifier（国际整流器）
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRLML2502PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 45 mohm, 4.5 V, 1.2 V
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IRLML2502TR N沟道MOSFET 20V 4.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 G
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