| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 1.25 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.035 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 阈值电压 | 1.2 V |
| 输入电容 | 740 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.2A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 740pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 下降时间 | 26 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.25W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 3.04 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
International Rectifier公司的IRLML2502PBF是一款20V单N沟道HEXFET功率MOSFET, Micro3 (SOT-23)封装. 此MOSFET具有极低的单位面积导通电组, 耐用, 快速开关, 功率MOSFET提供极高的效率和稳定性, 适用于多种应用.
● 漏极至源极电压(Vds): 20V
● 栅-源电压: ±12V
● Vgs 4.5V时, 阻抗Rds (on)为35mohm
● 25°C功率耗散Pd: 1.25W
● Vgs 4.5V 25°C时, 连续漏电流Id: 4.2A
● 工作结温范围: -55°C至150°C
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRLML2502TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 4.2A, SOT-23-3, 整卷
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRLML2502PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 45 mohm, 4.5 V, 1.2 V
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IRLML2502TR N沟道MOSFET 20V 4.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 G
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