| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 300 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 400 mW |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 850 mA |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） =仅为0.25mΩ ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML2803TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, Micro-3, 30V
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Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML2803TR N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 1B/B4/BB/BD/B6 低导通电阻
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