| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 1.20 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 0.4 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 540 W |
| 零部件系列 | IRLML2803 |
| 输入电容 | 85pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.20 A |
| 输入电容值(Ciss) | 85pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 540 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.04 mm |
| 高度 | 1.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
International Rectifier（国际整流器）
9 页 / 0.24 MByte
International Rectifier（国际整流器）
10 页 / 0.25 MByte
International Rectifier（国际整流器）
9 页 / 0.18 MByte
International Rectifier（国际整流器）
8 页 / 0.21 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） =仅为0.25mΩ ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML2803TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, Micro-3, 30V
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
IRLML2803TR N沟道MOSFET 1.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 1B/B4/BB/BD/B6 低导通电阻
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
