| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -610 mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 540 mW |
| 零部件系列 | IRLML5103 |
| 漏源极电压(Vds) | -30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -760 mA |
| 上升时间 | 8.20 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -760mA/-0.76A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.60Ω @-600mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 540mW/0.54W Description & Applications| HEXFET POWER MOSFET dynamic avalanche rated surface mount straight lead available in tape&reel; p-channel fast switching 描述与应用| HEXFET功率MOSFET 动态额定雪崩 表面贴装 直导致 可在磁带和卷轴 p-沟道 快速切换
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML5103TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
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P沟道,-30V,-0.76A,600mΩ@-10V
Infineon（英飞凌）
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML5103TR P沟道MOS场效应管 -760mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1D/D 快速开关
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML5103PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
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