类型 | 描述 |
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引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | P-Channel |
功耗 | 1.25 W |
零部件系列 | IRLML5203GPBF |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
输入电容值(Ciss) | 510pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.25 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLML5203 晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -30 V, 98 mohm, -10 V
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -30V ) Power MOSFET(Vdss=-30V)
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML5203TR P沟道MOS场效应管 -3A 0.098ohm SOT-23 marking/标记 HC 动态额定雪崩 快速开关
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLML5203PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 98 mohm, -10 V, -2.5 V
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