| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 165 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.76A |
| 上升时间 | 8.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 510pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 下降时间 | 16 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.25W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 3.04 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML5203 晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -30 V, 98 mohm, -10 V
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -30V ） Power MOSFET(Vdss=-30V)
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P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML5203TR P沟道MOS场效应管 -3A 0.098ohm SOT-23 marking/标记 HC 动态额定雪崩 快速开关
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INFINEON IRLML5203PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 98 mohm, -10 V, -2.5 V
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