| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.78A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRLML6302 P沟道MOS场效应管 -780mA 0.60ohm SOT-23 marking/标记 1CKU 超低导通电阻 低栅极电荷
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P沟道 -20 V 540 mW 2.4 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML6302PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 V
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