| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -12.0 V |
| 额定电流 | -4.30 A |
| 封装 | SOT-23 |
| 功耗 | 1.3 W |
| 零部件系列 | IRLML6401 |
| 漏源极电压(Vds) | 12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.30 A |
| 上升时间 | 32.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -12V 最大漏极电流IdDrain Current| -430mA/-0.43A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.050Ω @-4.3A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.40--0.95V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.3W Description & Applications| Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel 描述与应用| 超低导通电阻 P沟道MOSFET SOT-23的脚印 薄型（高度<1.1mm） 可在磁带和卷轴
International Rectifier（国际整流器）
9 页 / 0.13 MByte
International Rectifier（国际整流器）
9 页 / 0.13 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML6401TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML6401PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mV
International Rectifier（国际整流器）
IRLML6401TR P沟道MOS场效应管 -430mA 0.050ohm SOT-23 marking/标记 F1/F3/F4/F5/F6/FB/FE 超低导通电阻 薄型封装
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
