| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.7A |
| 上升时间 | 48 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 633pF @10V(Vds) |
| 下降时间 | 381 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML6402TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -3.7A, SOT-23
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Infineon（英飞凌）
HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
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IRLML6402TR P沟道MOS场效应管 -3.7A 0.065ohm SOT-23 marking/标记 EC/E4/E1/EB/E7/E3 超低导通电阻 薄型封装
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML6402PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 65 mohm, -4.5 V, -550 mV
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