类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23 |
漏源极电阻 | 65 mΩ |
极性 | P-Channel |
功耗 | 1.3 W |
连续漏极电流(Ids) | 3.70 A |
上升时间 | 48 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
工作结温(Max) | 150 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLML6402TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -3.7A, SOT-23
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Infineon(英飞凌)
HEXFET® P 通道功率 MOSFET,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLML6402TR P沟道MOS场效应管 -3.7A 0.065ohm SOT-23 marking/标记 EC/E4/E1/EB/E7/E3 超低导通电阻 薄型封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLML6402PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 65 mohm, -4.5 V, -550 mV
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