| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -3.70 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 1.3 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.065 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.3 W |
| 零部件系列 | IRLML6402 |
| 阈值电压 | 550 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -3.70 A |
| 上升时间 | 48 ns |
| 热阻 | 100℃/W (RθJC) |
| 输入电容值(Ciss) | 633pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 下降时间 | 381 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.3W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 3.04 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.19 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
27 页 / 0.31 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.32 MByte
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.07 MByte
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.15 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML6402TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -3.7A, SOT-23
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
IRLML6402TR P沟道MOS场效应管 -3.7A 0.065ohm SOT-23 marking/标记 EC/E4/E1/EB/E7/E3 超低导通电阻 薄型封装
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLML6402PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 65 mohm, -4.5 V, -550 mV
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
