| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 6.50 A |
| 封装 | SOT-23-6 |
| 漏源极电阻 | 30.0 mΩ (max) |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2W (Ta) |
| 零部件系列 | IRLMS2002 |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0V (min) |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.50 A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1310pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 16 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | End of Life |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLMS2002TRPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOP
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLMS2002PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 1.2 V
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