类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
额定电压(DC) | 20.0 V |
额定电流 | 6.50 A |
封装 | TSOP-6 |
漏源极电阻 | 0.045 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2 W |
零部件系列 | IRLMS2002 |
输入电容 | 1310pF @15V |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
漏源击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.50 A |
上升时间 | 11.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 1310pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 2 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3 mm |
高度 | 1.15 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLMS2002TRPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOP
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLMS2002PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 1.2 V
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