类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
额定电压(DC) | -30.0 V |
额定电流 | -2.30 A |
封装 | TSOP-6 |
漏源极电阻 | 0.235 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 1.7 W |
零部件系列 | IRLMS5703 |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | -30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | -2.30 A |
上升时间 | 12.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 170pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.7 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 3 mm |
高度 | 1.45 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLMS5703TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1 V
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IRLMS5703TR P沟道MOS场效应管 -2.3A 400毫欧 SOT-163 marking/标记 2D7U 低导通电阻 第五代技术
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