| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SOT-23-6 |
| 额定功率 | 2 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 50 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 2 W |
| 输入电容 | 1079 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.6A |
| 上升时间 | 33 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1079pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 72 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.5 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 20 V 5.6A（Ta） 2W（Ta） Micro6™（TSOP-6）
Infineon（英飞凌）
6 页 / 1.08 MByte
Infineon（英飞凌）
27 页 / 0.3 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.07 MByte
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.15 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V
International Rectifier（国际整流器）
IRLMS6802TR P沟道MOS场效应管 -20V -5.6A 100毫欧 SOT-163 marking/标记 2EO/E5 低导通电阻 第五代技术
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
