类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 55.0 V |
额定电流 | 16.0 A |
封装 | TO-252 |
额定功率 | 35 W |
漏源极电阻 | 58 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 35 W |
零部件系列 | IRLR024Z |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
漏源击穿电压 | 55.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 16.0 A |
上升时间 | 43.0 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRLR024NTRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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