| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 24.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 40 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 68 W |
| 零部件系列 | IRLR2705 |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 28.0 A |
| 上升时间 | 100 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 880pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 68 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR2705TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 55 V, 0.04 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
N沟道 55 V 68 W 25 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA
Infineon（英飞凌）
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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