类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 55.0 V |
额定电流 | 42.0 A |
封装 | TO-252 |
零部件系列 | IRLR2905 |
漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 42.0 A |
上升时间 | 84.0 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape, Tape & Reel (TR) |
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLR2905TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRLR2905PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 27 mohm, 10 V, 2 V
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Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRLR2905ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 V
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