| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 60.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 13.5 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 零部件系列 | IRLR2905Z |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 1.57 nF |
| 栅电荷 | 35.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
| 上升时间 | 130 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1570pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 175 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR2905TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR2905PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 27 mohm, 10 V, 2 V
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR2905ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 V
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