| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | DPAK-252 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 25A |
| 上升时间 | 57 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 710pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 37 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 57000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
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Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRLR3105PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 55 V, 37 mohm, 10 V, 3 V
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