| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 140 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.014 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 140 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 输入电容 | 3980pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 63A |
| 上升时间 | 110 ns |
| 反向恢复时间 | 34 ns |
| 正向电压(Max) | 1.3 V |
| 输入电容值(Ciss) | 3980pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 140 W |
| 下降时间 | 48 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 140W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon
●### 电动机控制 MOSFET
●Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
●### 同步整流器 MOSFET
●同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.3 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
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3 页 / 0.19 MByte
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR3110ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2.5 V
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3110ZTRLPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
International Rectifier（国际整流器）
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International Rectifier（国际整流器）
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