| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 52 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.105 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 79 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 输入电容 | 800 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 17A |
| 上升时间 | 53 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 800pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 26 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 79W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
●Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.27 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.15 MByte
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.28 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR3410TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.105 ohm, 10 V, 2 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRLR3410TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR3410PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 105 mohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.105 ohm, 10 V, 2 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRLR3410PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 17A, D-PAK 新
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
