| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 143 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0068 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 143 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 99A |
| 上升时间 | 216 ns |
| 反向恢复时间 | 27 ns |
| 正向电压(Max) | 1.3 V |
| 输入电容值(Ciss) | 3779pF @50V(Vds) |
| 下降时间 | 96 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温 | -55℃ ~ 175℃ |
| 耗散功率(Max) | 143W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR3636TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2.5 V 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRLR3636PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.8 mohm, 10 V, 2.5 V
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3636TRLPBF, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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