IRLR7807ZPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3
描述:	INFINEON IRLR7807ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 13.8 mohm, 10 V, 1.8 V
PDF文件:	IRLR7807ZPBF 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页 10 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IRLR7807ZPBF 数据手册 (12 页)

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IRLR7807ZPBF 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
额定功率	40 W
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.0138 Ω
极性	N-Channel
功耗	40 W
阈值电压	1.8 V
漏源极电压(Vds)	30 V
连续漏极电流(Ids)	43A
上升时间	28 ns
输入电容值(Ciss)	780pF @15V(Vds)
额定功率(Max)	40 W
下降时间	3.5 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	40W (Tc)

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IRLR7807ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	6.73 mm
宽度	6.22 mm
高度	2.39 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRLR7807ZPBF 符合标准

IRLR7807ZPBF 概述

IRLR7807ZPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.26 MByte

IRLR7807ZPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLR7807ZPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 3.97 MByte

IRLR7807ZPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLR7807ZPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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