类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 140 A |
封装 | TO-252 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 140 W |
零部件系列 | IRLR7833 |
漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 140 A |
上升时间 | 6.90 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape |
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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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Infineon(英飞凌)
30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
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