| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 140W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 140A |
| 上升时间 | 6.9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4010pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 140W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
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