IRLR7843CTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3
PDF文件:	IRLR7843CTRPBF 数据手册 (11 页)封装尺寸在9 页 10 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IRLR7843CTRPBF 数据手册 (11 页)

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IRLR7843CTRPBF 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
封装	TO-252-3
通道数	1 Channel
漏源极电阻	3.3 mΩ
极性	N-CH
功耗	140 W
阈值电压	2.3 V
漏源极电压(Vds)	30 V
漏源击穿电压	30 V
连续漏极电流(Ids)	161A
上升时间	42 ns
输入电容值(Ciss)	4380pF @15V(Vds)
下降时间	19 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	55 ℃
耗散功率(Max)	140W (Tc)

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IRLR7843CTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.5 mm
宽度	6.22 mm
高度	2.3 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRLR7843CTRPBF 符合标准

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