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IRLU014PBF
来自 AiPCBA

IRLU014PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-251
描述:VISHAY  IRLU014PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 7.7A, IPAK
PDF文件:IRLU014PBF 数据手册 (8 页)
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IRLU014PBF 数据手册 (8 页)
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IRLU014PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流7.70 A
封装TO-251
针脚数3 Position
漏源极电阻0.2 Ω
极性N-Channel
功耗2.5 W
阈值电压2 V
输入电容400pF @25V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
连续漏极电流(Ids)7.70 A
上升时间110 ns
输入电容值(Ciss)400pF @25V(Vds)
下降时间26 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.5 W
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IRLU014PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度6.73 mm
宽度2.39 mm
高度6.22 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRLU014PBF 数据手册

IRLU014PBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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IRLU014PBF 其他数据使用手册
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IRLU014PBF 产品修订记录
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