| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 17.0 A |
| 封装 | TO-251-3 |
| 漏源极电阻 | 65.0 mΩ (max) |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 45W (Tc) |
| 零部件系列 | IRLU024N |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0V (min) |
| 连续漏极电流(Ids) | 17.0 A |
| 上升时间 | 74.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 480pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 45W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 N 通道 55 V 17A（Tc） 45W（Tc） I-PAK
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N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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