| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | TO-220 |
| 漏源极电阻 | 35.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 56.0 W |
| 零部件系列 | IRLZ34N |
| 漏源极电压(Vds) | 55.0 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
| 上升时间 | 100 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 880pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 29 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 68000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.18 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
International Rectifier（国际整流器）
NXP（恩智浦）
N沟道增强模式的逻辑电平的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
