类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 8 Pin |
电源电压 | 10.0V (min) |
工作电压 | 10V ~ 20V |
封装 | PDIP-8 |
额定功率 | 1 W |
上升/下降时间 | 25ns, 15ns |
输出接口数 | 2 Output |
输出电压 | 200 V |
输出电流 | 1 A |
通道数 | 2 Channel |
针脚数 | 8 Position |
功耗 | 1 W |
上升时间 | 40ns (Max) |
热阻 | 125℃/W (RθJA) |
下降时间 | 35ns (Max) |
下降时间(Max) | 35 ns |
上升时间(Max) | 40 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 1000 mW |
电源电压 | 10V ~ 20V |
电源电压(Max) | 20 V |
电源电压(Min) | 10 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Each |
长度 | 10.92 mm |
宽度 | 7.11 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,Infineon
●Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧和低侧配置。
●### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS2011SPBF 双路MOSFET驱动器芯片, 驱动器, 高和低压侧, 10V-20V电源, 1A输出, 60ns延迟, SOIC-8
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS2011PBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 1A输出, 60ns延迟, DIP-8
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