类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 1 MHz |
引脚数 | 14 Pin |
电源电压 | 10.0V (min) |
封装 | SOIC-14 |
输出接口数 | 2 Output |
输出电压 | 218 V |
输出电流 | 1.00 A |
功耗 | 1.25 W |
零部件系列 | IRS20124S |
上升时间 | 40 ns |
下降时间 | 35 ns |
下降时间(Max) | 35 ns |
上升时间(Max) | 40 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 1250 mW |
电源电压(Max) | 18 V |
电源电压(Min) | 10 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
宽度 | 3.99 mm |
高度 | 1.5 mm |
International Rectifier(国际整流器)
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International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS20124SPBF 双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-18V电源, 1.2A输出, 60ns延迟, SOIC-14
International Rectifier(国际整流器)
IRS20124SPBF 双 MOSFET 功率驱动器, 1.2A, 14针 SOIC封装
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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IRF
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