类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
上升/下降时间 | 100ns, 35ns |
输出接口数 | 2 Output |
功耗 | 625 mW |
静态电流 | 180 µA |
上升时间 | 220 ns |
下降时间 | 80 ns |
下降时间(Max) | 80 ns |
上升时间(Max) | 220 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
电源电压 | 10V ~ 20V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon(英飞凌)
25 页 / 1.41 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS2106SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS2106PBF 芯片, 无传感器电机控制器, 交流, QFP-64 新
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件