| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 封装 | PDIP-8 |
| 额定功率 | 1 W |
| 上升/下降时间 | 100ns, 35ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电压 | 600 V |
| 输出电流 | 290.600 mA |
| 通道数 | 2 Channel |
| 功耗 | 1 W |
| 上升时间 | 220 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 下降时间(Max) | 80 ns |
| 上升时间(Max) | 220 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.92 mm |
| 宽度 | 7.11 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，Infineon
●Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件，采用半桥配置。
●### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.41 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2108SPBF. 芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 600mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS21084SPBF 芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 高/低压侧, DIP-8 新
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier（国际整流器）
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