| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 工作电压 | 10V ~ 20V |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 625 mW |
| 上升/下降时间 | 75ns, 35ns |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电压 | 600 V |
| 输出电流 | 290 mA |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 功耗 | 625 mW |
| 上升时间 | 130 ns |
| 下降时间 | 65 ns |
| 下降时间(Max) | 65 ns |
| 上升时间(Max) | 130 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
MOSFET 和 IGBT 驱动器，高侧，Infineon
●Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件，采用高侧配置。
●### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
Infineon（英飞凌）
26 页 / 0.87 MByte
Infineon（英飞凌）
48 页 / 7.29 MByte
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.41 MByte
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.32 MByte
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.12 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2117SPBF 高压侧驱动器, IGBT/MOSFET, 10V-20V电源, 600mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2117PBF 高压侧驱动器, IGBT/MOSFET, 10V-20V电源, 600mA输出, 105ns延迟, DIP-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS21171SPBF 门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 160ns延迟, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
