| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | DIP-8 |
| 额定功率 | 1 W |
| 上升/下降时间 | 80ns, 40ns |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电压 | 600 V |
| 输出电流 | 290.600 mA |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 功耗 | 1000 mW |
| 下降时间(Max) | 65 ns |
| 上升时间(Max) | 130 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 电源电压 | 12V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Each |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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芯片, 驱动器, IGBT/MOSFET, DIP-8
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MOSFET驱动器, 高压侧, 10 V至20 V电源, 600 mA输出, 150 ns延迟, NSOIC-8
Infineon（英飞凌）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，单通道，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
International Rectifier（国际整流器）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，单通道，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
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