| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 10.1V (min) |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 625 mW |
| 上升/下降时间 | 120ns, 50ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电压 | 600 V |
| 输出电流 | 180.260 mA |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 功耗 | 625 mW |
| 下降时间(Max) | 80 ns |
| 上升时间(Max) | 220 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 15.4V |
| 电源电压(Max) | 16.8 V |
| 电源电压(Min) | 10.1 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Each |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
PWM（脉冲宽度调制）- FF（固定频率）IC，Infineon
●### 交流-直流功率转换，Infineon
Infineon（英飞凌）
14 页 / 0.34 MByte
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48 页 / 7.29 MByte
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73 页 / 2.93 MByte
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30 页 / 0.41 MByte
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.12 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS21531DSPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10.1V-16.8V电源, 260mA输出, 350ns延迟, SOIC-8
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS21531DPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10.1V-16.8V电源, 260mA输出, 350ns延迟, DIP-8
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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