类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
额定功率 | 625 mW |
上升/下降时间 | 120ns, 50ns |
输出接口数 | 2 Output |
输出电压 | 600 V |
输出电流 | 180.260 mA |
通道数 | 2 Channel |
功耗 | 625 mW |
下降时间(Max) | 80 ns |
上升时间(Max) | 220 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
电源电压 | 10V ~ 15.4V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
自振栅极驱动器 IC,Infineon
●### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS2153DPBF 双路驱动器, MOSFET, 半桥, 自-OSC, 10.1V-16.8V电源, 0.26A输出, 350ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
IC,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS21531DSPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10.1V-16.8V电源, 260mA输出, 350ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS21531DPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10.1V-16.8V电源, 260mA输出, 350ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
PWM(脉冲宽度调制)- FF(固定频率)IC,Infineon### 交流-直流功率转换,Infineon
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
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