类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 8 Pin |
电源电压 | 10.0V (min) |
工作电压 | 10V ~ 20V |
封装 | DIP-8 |
额定功率 | 1 W |
上升/下降时间 | 22ns, 18ns |
输出接口数 | 2 Output |
输出电压 | 600 V |
输出电流 | 4 A |
通道数 | 2 Channel |
针脚数 | 8 Position |
功耗 | 1 W |
上升时间 | 38 ns |
下降时间 | 30 ns |
下降时间(Max) | 30 ns |
上升时间(Max) | 38 ns |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 1000 mW |
电源电压 | 10V ~ 20V |
电源电压(Max) | 20 V |
电源电压(Min) | 10 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.92 mm |
宽度 | 7.11 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,Infineon
●Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件,采用高侧和低侧配置。
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International Rectifier(国际整流器)
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INFINEON IRS21867STRPBF 芯片, 驱动器, IGBT/MOSFET, 4A, 8SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS2186PBF 驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 170ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS2186SPBF 双路芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 170ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS21864SPBF 驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 170ns延迟, SOIC-14
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRS21864PBF 驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 170ns延迟, DIP-14
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Infineon### 电动机控制器和驱动器,International Rectifier
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