| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 44 Pin |
| 封装 | PLCC-44 |
| 上升/下降时间 | 80ns, 35ns |
| 输出接口数 | 6 Output |
| 输出电压 | 620 V |
| 输出电流 | 200 mA |
| 功耗 | 2 W |
| 上升时间 | 125 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 下降时间(Max) | 55 ns |
| 上升时间(Max) | 125 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Each |
| 长度 | 16.66 mm |
| 宽度 | 16.66 mm |
| 高度 | 3.59 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon
●一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压，且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
Infineon（英飞凌）
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
International Rectifier（国际整流器）
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2330DSPBF 功率芯片, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 500ns延迟, SOIC-28
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2330SPBF 功率芯片, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 500ns延迟, SOIC-28
Infineon（英飞凌）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
International Rectifier（国际整流器）
IRS2330DJPBF 双 MOSFET 功率驱动器, 500mA, 半桥, 反相, 44针 PLCC封装
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