| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 28 Pin |
| 封装 | SOIC-28 |
| 上升/下降时间 | 80ns, 35ns |
| 输出接口数 | 6 Output |
| 功耗 | 1600 mW |
| 下降时间(Max) | 55 ns |
| 上升时间(Max) | 125 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1600 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
39 页 / 1.06 MByte
Infineon（英飞凌）
48 页 / 7.29 MByte
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.41 MByte
Infineon（英飞凌）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
Infineon（英飞凌）
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
International Rectifier（国际整流器）
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2330DSPBF 功率芯片, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 500ns延迟, SOIC-28
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2330SPBF 功率芯片, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 500ns延迟, SOIC-28
Infineon（英飞凌）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
International Rectifier（国际整流器）
IRS2330DJPBF 双 MOSFET 功率驱动器, 500mA, 半桥, 反相, 44针 PLCC封装
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