| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 14 Pin |
| 工作电压 | 10V ~ 16.6V |
| 封装 | DIP-14 |
| 额定功率 | 1.6 W |
| 上升/下降时间 | 120ns, 50ns |
| 输出接口数 | 4 Output |
| 输出电压 | 600 V |
| 输出电流 | 180.260 mA |
| 通道数 | 4 Channel |
| 针脚数 | 14 Position |
| 上升时间 | 200ns (Max) |
| 下降时间 | 100ns (Max) |
| 下降时间(Max) | 100 ns |
| 上升时间(Max) | 200 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -25 ℃ |
| 电源电压 | 10V ~ 15.6V |
| 电源电压(Max) | 15.6 V |
| 电源电压(Min) | 11 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Each |
| 长度 | 20.19 mm |
| 宽度 | 7.11 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -25℃ ~ 125℃ (TJ) |
HID（高强度放电）镇流器控制集成电路，Infineon
●### HID（高强度放电）镇流器控制集成电路
Infineon（英飞凌）
18 页 / 0.52 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.1 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRS2453DPBF 电机全桥驱动器, 自振荡器, 600V, 11V-15.6V电源, 260mA输出, 250ns延迟, DIP-14
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，全桥，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
全桥 MOSFET 灌:180mA 拉:260mA
International Rectifier（国际整流器）
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