| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 54 Pin |
| 封装 | BGA-54 |
| 位数 | 16 Bit |
| 存取时间 | 5.4 ns |
| 存取时间(Max) | 5.4 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 3 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
Integrated Silicon Solution(ISSI)
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式
Integrated Silicon Solution(ISSI)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S16160G-7BLI 芯片, 存储器, SDRAM, SDR, 256MB, 3.3V, 54BGA
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm), IT, T&R
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