| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 54 Pin |
| 封装 | BGA-54 |
| 供电电流 | 130 mA |
| 针脚数 | 54 Position |
| 时钟频率 | 143 MHz |
| 位数 | 16 Bit |
| 存取时间 | 7 ns |
| 存取时间(Max) | 5.4 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 3V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 3 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
SDRAM 存储器 IC 256Mb（16M x 16） 并联 54-TFBGA（8x8）
Integrated Silicon Solution(ISSI)
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式
Integrated Silicon Solution(ISSI)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S16160G-7BLI 芯片, 存储器, SDRAM, SDR, 256MB, 3.3V, 54BGA
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
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动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm), IT, T&R
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