| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 54 Pin |
| 封装 | TSOP-54 |
| 供电电流 | 90 mA |
| 针脚数 | 54 Position |
| 位数 | 16 Bit |
| 存取时间 | 7 ns |
| 存取时间(Max) | 5.4 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 3V ~ 3.6V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Each |
| 长度 | 22.42 mm |
| 宽度 | 10.29 mm |
| 高度 | 1.05 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
动态 RAM， ISSI
●ISSI
●SDR SDRAM
● 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。
●ISSI
● SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。
●LVTTL 接口
●有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘
●可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度
●每个时钟周期的随机列地址
●自刷新和自动刷新模式
Integrated Silicon Solution(ISSI)
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
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SDRAM, 4M x 16bit, 5.4ns, 并行接口, BGA-54
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动态随机存取存储器 64M,3.3V,S动态随机存取存储器,4Mx16 143 Mhz,60 ball BGA
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